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1、中芯国际还提到14nm工艺在去年底量产，并贡献了1%营收。先进工艺正是中芯国际今年发展重点，目前公司已经开发了14/12nm多种特色工艺平台。
2、量产14nm工艺已经可以满足国内95%芯片生产，根据之前消息，中芯国际14nm产能年底将达到15K晶圆/月，之后就不会大幅增长了，重点会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺。
3、之前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，之后N+2工艺性能和成本都更高一些。
4、外界认为中芯国际N+1代工艺相当于台积电7nm工艺，不过中芯国际随后澄清说，N+1是中芯国际内部代号，并不等于7nm。
5、根据这个信息，N+1工艺跟业界公认7nm工艺主要差距是性能，20%性能增幅不如业界35%性能提升，但其他指标差别不大。
6、在最新年报会议上，中芯国际表示N+1工艺研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。之前该公司表示去年底试产了N+1工艺，今年底会有限量产N+1工艺。
7、总之，即便中芯国际N+1工艺在性能上还有一定差距，但是国产7nm级工艺今年底就会问世了，这依然是一件大事。