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中国每年进口的集成电路超过3000亿美元，其中存储芯片占了大约1/3的份额，但DRAM内存及NAND闪存目前尚无国产厂商染指，国产率基本为0，其中高价值的内存几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中。
Digitimes报道称，合肥长鑫(ChangXin Memory Technologies，简称CXMT)公司计划在今年底量产首款内存芯片，是8Gb LPDDR4颗粒，预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月，不过产能最终会扩大到12.5万片晶圆/月。
根据长鑫之前的公告，其首批8Gb LPDDR4内存应该是19nm工艺的，预计在2020年建设第二座晶圆厂，将使用20nm以下的工艺生产内存，该公司计划在2021年量产17nm工艺的内存芯片。
此外，国内研发DRAM内存的另一家公司福建晋华JHICC被美国制裁，业务几乎停摆，长鑫公司也担心被美国盯上，促使他们在研发过程中非常注重知识产权。
从长鑫公司之前公布的消息来看，他们的内存技术主要源于破产的奇梦达公司，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。